本发明提供了一种磁性存储单元结构及其数据写入方法，磁性存储单元结构包括强自旋轨道耦合层以及设于所述强自旋轨道耦合层上的磁隧道结，强自旋轨道耦合层包括形成预设夹角的第一路径和第二路径，所述第一路径和所述第二路径分别包括设于所述磁隧道结两侧的两个输入端，所述方法包括：通过所述第一路径或第二路径的两个输入端中的其中一个向所述强自旋轨道耦合层输入第一段电流；通过与所述第一段电流不同的路径向所述强自旋轨道耦合层输入预设时间长度的第二段电流以使所述自由层的磁矩发生翻转，其中，输入所述第二段电流的输入端根据所述第一段电流的输入端、待写入数据和所述参考层的磁矩方向确定，本发明可保证磁隧道结磁矩的确定性翻转。