磁性存储单元结构及其数据写入方法
授权
摘要
本发明提供了一种磁性存储单元结构及其数据写入方法,磁性存储单元结构包括强自旋轨道耦合层以及设于所述强自旋轨道耦合层上的磁隧道结,强自旋轨道耦合层包括形成预设夹角的第一路径和第二路径,所述第一路径和所述第二路径分别包括设于所述磁隧道结两侧的两个输入端,所述方法包括:通过所述第一路径或第二路径的两个输入端中的其中一个向所述强自旋轨道耦合层输入第一段电流;通过与所述第一段电流不同的路径向所述强自旋轨道耦合层输入预设时间长度的第二段电流以使所述自由层的磁矩发生翻转,其中,输入所述第二段电流的输入端根据所述第一段电流的输入端、待写入数据和所述参考层的磁矩方向确定,本发明可保证磁隧道结磁矩的确定性翻转。
基本信息
专利标题 :
磁性存储单元结构及其数据写入方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113380287A
申请号 :
CN202010114888.7
公开(公告)日 :
2021-09-10
申请日 :
2020-02-25
授权号 :
CN113380287B
授权日 :
2022-06-07
发明人 :
王旻王昭昊赵巍胜
申请人 :
北京航空航天大学
申请人地址 :
北京市海淀区学院路37号
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
赵平
优先权 :
CN202010114888.7
主分类号 :
G11C11/16
IPC分类号 :
G11C11/16 H01L43/02 H01L43/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器;为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-06-07 :
授权
2021-09-28 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/16
申请日 : 20200225
申请日 : 20200225
2021-09-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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