存储单元和形成一存储单元的方法
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摘要
本发明提供一种存储单元和形成一存储单元的方法，具体涉及一种植基于穿隧注入效应的肖特基源极/漏极存储单元，包括：覆于绝缘层上的第一导电型态的第一半导体层，其扮演着基体区的角色和功能；覆于半导体层上的栅极介电层；覆于栅极介电层上的栅极；一对在栅极两侧的间隔物；以及在源极区形成的第一肖特基势垒接面和在基体区另一端的漏极区形成的第二肖特基势垒接面。源极和漏极区分别互与栅极有所重叠，此重叠部分的长度以大于5为较佳。在第一和第二肖特基势垒区间则形成若干界面层。本发明可增强该元件的可靠度，且更适用于未来45纳米及更先进的制程。
基本信息
专利标题 ：
存储单元和形成一存储单元的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815742A
申请号 ：
CN200510134451.5
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柯志欣陈宏玮李文钦季明华葛崇祜
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510134451.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L29/78 H01L29/40 H01L21/8242 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2009-03-04 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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