使用界面过渡金属化合物层的电阻存储单元及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及使用界面过渡金属化合物层的电阻存储单元及其形成方法。电阻存储单元包括下部电极、电阻过渡金属氧化物层和上部电极。下部电极包括至少一个下部金属阻挡层、下部金属层以及过渡金属化合物层，其中下部金属层包括具有高于2000摄氏度的熔点的第一金属，过渡金属化合物层包括选自Ti、Ta和W的过渡金属的氧化物或氮化物。电阻过渡金属氧化物层包括至少一种过渡金属的形成导电细丝的电介质氧化物并且位于过渡金属化合物层上。上部电极包括上部金属层和至少一个上部金属阻挡层，上部金属层包括第二金属包括具有高于2000摄氏度的熔点的第二金属。
基本信息
专利标题 ：
使用界面过渡金属化合物层的电阻存储单元及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551720A
申请号 ：
CN202210023191.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑文豪李元煌廖钰文陈彦羽朱玄之
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
朱亦林
优先权 ：
CN202210023191.8
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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