存储单元阵列
专利权的终止
摘要

一种存储单元阵列,包含存储单元、沿第一方向行进的位线、沿垂直于第一方向的第二方向行进的字线、以及连续的有源区线,其中,晶体管至少部分地形成在有源区线内。这些晶体管经由位线接触将相应的存储单元电耦合到相应的位线,且通过字线寻址这些晶体管。位线接触形成在通常由位线与相应有源区线的交叉所限定的区域内。与一个有源区线连接的相邻位线接触连接到相邻的位线。结果,一个有源区线被多个位线跨越。

基本信息
专利标题 :
存储单元阵列
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1815718A
申请号 :
CN200510131052.3
公开(公告)日 :
2006-08-09
申请日 :
2005-12-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
T·施勒泽尔
申请人 :
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 :
德国慕尼黑
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
张雪梅
优先权 :
CN200510131052.3
主分类号 :
H01L21/8242
IPC分类号 :
H01L21/8242  H01L27/108  G11C11/401  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2019-11-22 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20080730
终止日期 : 20181207
2016-02-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101727565017
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005101310523
登记生效日 : 20160115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 奇梦达股份公司
变更后权利人 : 英飞凌科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 德国瑙伊比贝尔格市
2012-11-07 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101458940514
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005101310523
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 英飞凌科技股份有限公司
变更后权利人 : 奇梦达股份公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 德国慕尼黑
登记生效日 : 20120926
2012-11-07 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101458940513
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005101310523
变更事项 : 专利权人
变更前 : 因芬尼昂技术股份公司
变更后 : 英飞凌科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 德国慕尼黑
变更后 : 德国慕尼黑
2008-07-30 :
授权
2006-10-04 :
实质审查的生效
2006-08-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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