瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底中形成沟槽，该沟槽具有侧壁和底部，沟槽具有与衬底顶表面相邻的上部区域和与沟槽底部相邻的下部区域；在沟槽的底部区域形成衬底氧化层；从沟槽的底部区域除去所述衬底氧化层，沟槽下部区域的横截面积大于沟槽上部区域的横截面积。
基本信息
专利标题 ：
瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838401A
申请号 ：
CN200510137330.6
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
K·塞特尔迈尔R·拉马钱德兰M·－S·金O·－J·关
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
胡强
优先权 ：
CN200510137330.6
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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