沟槽型MOSFET及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明揭示一种沟槽型MOSFET，在依次将P型的高掺杂漏极部即基板、P型的低掺杂漏极部即外延层、N型的本体部、以及P型的源极扩散部相邻形成的半导体基板上，形成沟槽部。再在与沟槽部绝缘的状态下，形成源极扩散部以覆盖沟槽部，从而能降低沟槽型MOSFET的导通(ON)电阻。
基本信息
专利标题 ：
沟槽型MOSFET及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1767214A
申请号 ：
CN200510119232.X
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·O·阿丹
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沈昭坤
优先权 ：
CN200510119232.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003311950
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 200510119232X
公开日 : 20060503
号牌文件序号 : 101003311950
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 200510119232X
公开日 : 20060503
2006-06-28 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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