深沟槽电隔离中压CMOS器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种中压CMOS半导体器件(20)，通过使用深沟槽结构(230)以电隔离相邻晶体管(210)来提供较高的晶体管(201)密度。该器件包括半导体衬底(200)；第一和第二中压MOS晶体管(210)，各自在半导体衬底(200)中具有沟道区(215)；半导体衬底(200)上的场氧化区(220)，其在第一和第二中压MOS晶体管(210)之间延伸并将二者分开；沟槽(230)，其从场氧化区(220)向下延伸到大于第一和第二中压MOS晶体管(210)的空间电荷区深度的深度；以及设置在沟槽(230)中的电介质材料。
基本信息
专利标题 ：
深沟槽电隔离中压CMOS器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101032019A
申请号 ：
CN200580032838.8
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢西恩·雷穆斯·阿尔布斯特凡·豪塞尔沃尔夫冈·奥恩霍尔格·施利格坦恩霍斯特
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200580032838.8
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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