一种隔离栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法
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摘要
本发明是一种隔离栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法，采用湿法刻蚀氧化层，能很好的生产出符合设计要求的栅电极、沟槽底部的多晶硅电极及中间氧化层；通过栅电极下方沟槽底部的多晶硅电极，可以大幅降低栅漏电容；当漏端加上反向偏压时，此多晶硅电极通过版图的设计与源端一起接地，可以形成更强的电场，进而增强横向耗尽的效应，进一步降低导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种隔离栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112802754A
申请号 ：
CN202110011365.4
公开（公告）日 ：
2021-05-14
申请日 ：
2021-01-06
授权号 ：
CN112802754B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
胡盖黄传伟夏华秋谈益民
申请人 ：
江苏东海半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
代理机构 ：
苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
叶栋
优先权 ：
CN202110011365.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2022-03-11 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/336
变更事项 : 申请人
变更前 : 江苏东海半导体科技有限公司
变更后 : 江苏东海半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
变更后 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
变更事项 : 申请人
变更前 : 江苏东海半导体科技有限公司
变更后 : 江苏东海半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
变更后 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
2021-06-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20210106
申请日 : 20210106
2021-05-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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