一种沟槽栅半导体器件及其制造方法
公开
摘要
本发明属于电气元件领域，特别是涉及一种沟槽栅半导体器件及其制造方法，沟槽栅半导体器件包括半导体基板、栅电极区和绝缘栅介质层，半导体基板上设置有沟槽，绝缘栅介质层位于栅电极区与半导体基板之间；沿所述半导体基板至栅电极区的方向，绝缘栅介质层依次包括用于在强电场下电荷隧穿的遂穿层、用于捕捉空穴的存储层和用于阻止电荷进一步遂穿到栅电极区的阻挡层。本发明中，由于所述绝缘栅介质层的三层不同作用的结构，能够使得绝缘栅介质层带上额外的正电荷，从而消除因绝缘栅介质层增厚带来的器件阈值电压增大的问题。同时达到了在加厚绝缘栅介质层以降低其电场强度、提高器件长期可靠性的同时，保证器件的阈值电压不会变大的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽栅半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267741A
申请号 ：
CN202010972194.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢汉汉吴海平
申请人 ：
比亚迪半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
代理机构 ：
深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张美君
优先权 ：
CN202010972194.7
主分类号 ：
H01L29/792
IPC分类号 ：
H01L29/792 H01L21/336 H01L29/423
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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