沟槽型功率器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了沟槽型功率器件及其制造方法。所述沟槽型功率器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的漂移区；位于所述漂移区中的第一沟槽和第二沟槽；位于所述第一沟槽中的栅叠层；以及位于所述第二沟槽侧壁上的肖特基金属，其中，所述肖特基金属与所述漂移区形成肖特基势垒二极管。该沟槽型功率器件采用双沟槽结构，将沟槽型MOSFET和肖特基势垒二极管相结合且将肖特基金属形成在沟槽侧壁上，不仅可以提高功率器件的性能，而且可以减小功率器件的单元面积。
基本信息
专利标题 ：
沟槽型功率器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512545A
申请号 ：
CN202111652594.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨啸陈辉王加坤
申请人 ：
杭州芯迈半导体技术有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202111652594.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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