功率器件及其制造方法

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摘要

一种功率器件，包括：半导体区域；设置在半导体区域中的有源区；包围有源区的终端区；多个第一导电型支柱；以及多个第二导电型支柱，多个第一导电型支柱和多个第二导电型支柱交替地被设置在有源区和终端区内，多个第二导电型支柱中的每个支柱包括：第二导电型的第一注入区域；第二导电型的第二注入区域；沟槽；以及设置在沟槽中的第二导电型半导体材料，沟槽设置在第二导电型的第二注入区域之上，并与第二导电型的第二注入区域垂直对准，多个第二导电型支柱的包括在有源区内的支柱的横向宽度大于多个第二导电型支柱的包括在终端区内的支柱的横向宽度。

基本信息

专利标题：

功率器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110010671A

申请号：

CN201811294910.X

公开（公告）日：

2019-07-12

申请日：

2012-04-26

授权号：

CN110010671B

授权日：

2022-04-29

发明人：

约瑟夫·A·叶季纳科克里斯托夫·L·雷克塞尔马克·L·赖尼希默普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺李在吉哈姆扎·耶尔马兹尹钟晩德韦恩·S·赖希尔潘南西罗德尼·S·里德利哈罗德·海登赖希

申请人：

飞兆半导体公司

申请人地址：

美国亚利桑那州

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司

代理人：

杨雅

优先权：

CN201811294910.X

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/336 H01L29/78 H01L29/861 H01L29/872 H01L29/04 H01L29/08 H01L29/10 H01L29/40 H01L29/423