场终止型功率器件的制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种场终止型功率器件的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一N型掺杂的单晶结构的硅片；步骤二、在硅片的正面形成正面保护层以及在硅片的背面形成背面保护层；步骤三、在硅片的正面的选定区域中进行形成终端保护环的P型离子注入；步骤四、在硅片的背面进行全面的形成场终止区的N型离子注入；步骤五、进行热扩散并分别在硅片的正面形成终端保护环以及在硅片的背面形成场终止区；步骤六、继续完成后续的正面工艺以及背面工艺。本发明能够使得场终止区和终端保护环采用相同的热扩散工艺同时退火激活，从而能降低工艺成本，还能保证场终止区和终端保护环的性能，以及不会影响到器件的其它掺杂区的性能。
基本信息
专利标题 ：
场终止型功率器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109994544A
申请号 ：
CN201810003581.2
公开（公告）日 ：
2019-07-09
申请日 ：
2018-01-03
授权号 ：
CN109994544B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
高文玉陈智勇孙娜斯海国
申请人 ：
宁波达新半导体有限公司;上海达新半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN201810003581.2
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/868 H01L29/06 H01L21/324 H01L21/331 H01L21/329
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-08-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20180103
申请日 : 20180103
2019-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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