半导体功率器件的制造方法
授权
摘要
本发明实施例提供的半导体功率器件的制造方法，包括：在提供的半导体衬底的顶部形成p型体区；形成第一绝缘介质层并在第一绝缘介质层中形成开口；形成n型浮栅并使得n型浮栅通过所述开口与所述p型体区接触形成p‑n结二极管，形成栅极。本发明实施例提供的半导体功率器件的制造方法，与现有技术的半导体功率器件的制造方法兼容，制造工艺简单稳定，所制造得到的半导体功率器件具有快的反向恢复速度。
基本信息
专利标题 ：
半导体功率器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112908851A
申请号 ：
CN201911223282.0
公开（公告）日 ：
2021-06-04
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN112908851B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
龚轶刘伟刘磊袁愿林王睿
申请人 ：
苏州东微半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN201911223282.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L27/07 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-06-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20191203
申请日 : 20191203
2021-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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