一种功率半导体器件及制造方法

发明专利申请公布后的撤回

摘要

本发明公开了一种功率半导体器件及制造方法，其芯片源极或发射极直接焊接到封装框架，芯片发热经源极或发射极、通过封装框架底座传导向外散热；所述框架和功率芯片的源极或发射极、栅极焊接区域为凸起。框架的源极或发射极、栅极凸起区域为框架挤压成条状铜带后冲切成型制作，该条状铜材对应焊接功率芯片源极或发射极、和栅极的区域凸起。本发明的功率半导体器件和普通封装功率半导体器件外形一致、引脚排列一致，但是热阻降低一半以上，散热性能得到明显改善。

基本信息

专利标题：

一种功率半导体器件及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114420663A

申请号：

CN202111606361.7

公开（公告）日：

2022-04-29

申请日：

2021-12-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

晏新海

申请人：

晏新海

申请人地址：

江苏省常州市钟楼区宝龙国际二期59-1401

代理机构：

江苏海越律师事务所

代理人：

唐小红

优先权：

CN202111606361.7

主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L23/495 H01L21/48 H01L29/78

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

H01L23/488

由焊接或黏结结构组成

H01L23/495

引线框架的

法律状态

2022-06-14 ：

发明专利申请公布后的撤回

IPC(主分类) : H01L 23/495
申请公布日 : 20220429

2022-05-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/495
申请日 : 20211226

2022-04-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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