功率半导体器件及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。该器件包括：外延层，其构成有源单元区的一部分并且以第一浓度掺杂有第一导电类型的杂质；场截止区，其位于外延层下方且以第二浓度掺杂有第一导电类型的杂质，该第一导电类型的杂质随后被激活；以及集电极区，其位于场截止区下方并且掺杂有第二导电类型的杂质。该场截止区通过重复交替地布置其中第一导电类型的杂质的激活相对较强的区域和其中第一导电类型的杂质的激活相对较弱的区域来形成。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109728082A
申请号 ：
CN201811259649.X
公开（公告）日 ：
2019-05-07
申请日 ：
2018-10-26
授权号 ：
CN109728082B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
李珠焕禹赫
申请人 ：
奥特润株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
田喜庆
优先权 ：
CN201811259649.X
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/08 H01L29/06 H01L21/331
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-04-02 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 29/739
登记生效日 : 20210322
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 奥特润株式会社
变更后权利人 : 现代摩比斯株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔
变更后权利人 : 韩国首尔
登记生效日 : 20210322
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 奥特润株式会社
变更后权利人 : 现代摩比斯株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔
变更后权利人 : 韩国首尔
2019-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20181026
申请日 : 20181026
2019-05-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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