功率半导体器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
公开了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的外延层；位于外延层中的第一介质槽和第二介质槽，第一介质槽和第二介质槽内填充有第一介质层；位于第一介质槽内的栅氧化层、控制栅和屏蔽栅；位于第一介质槽和第二介质槽两侧的源区和漏区；其中，控制栅由外延层表面延伸至第一介质槽上部，屏蔽栅由外延层表面延伸至第一介质槽下部，栅氧化层将控制栅和屏蔽栅、控制栅和外延层隔开。本发明采用两个介质槽的结构使漂移区的形貌不再是直线，而形成折线(V型或凹型)形貌的漂移区，可以增加漂移区的有效长度，在同样的击穿电压下实现更小的特征导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388618A
申请号 ：
CN202111546517.7
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚国亮邹华刘建平张邵华吴建兴
申请人 ：
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
岳丹丹
优先权 ：
CN202111546517.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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