多次外延屏蔽栅功率器件及其制造方法
公开
摘要
本发明涉及一种多次外延屏蔽栅功率器件，用于所述多次外延屏蔽栅功率器件的第一导电类型外延层由若干薄外延层组成，从靠近第一导电类型衬底的一侧至远离第一导电类型衬底的一侧，所述薄外延层的掺杂浓度线性降低或近似线性降低，本发明可以在击穿电压不变的前提下降低屏蔽栅沟槽型功率器件的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
多次外延屏蔽栅功率器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582960A
申请号 ：
CN202210495669.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱袁正周锦程叶鹏刘晶晶
申请人 ：
南京微盟电子有限公司;无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市玄武区玄武大道699-8号1号楼5楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210495669.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/49 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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