用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片，包括：一种用于降低功率器件内应力的外延片制作方法，包括：形成一衬底，所述衬底为第一材质；于所述衬底的表面蚀刻形成多个第一沟槽；于所述衬底上方形成一缓冲层，所述缓冲层为第二材质；于所述缓冲层的表面蚀刻形成多个第二沟槽；于所述缓冲层表面形成一外延层，以形成一外延片。本发明的有益效果在于：通过设置缓冲层避免了现有技术中衬底和外延层应力释放不充分的问题，并通过设置第一沟槽和第二沟槽进一步地释放了器件的内应力，提高了器件的良品率。
基本信息
专利标题 ：
用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420537A
申请号 ：
CN202111647201.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓信甫黄茂烘唐宝国
申请人 ：
上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111647201.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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