功率器件

授权

摘要

本实用新型公开了一种功率器件，功率器件包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面；以及原胞结构，位于衬底的第一表面，其中原胞结构包括：沟槽，沟槽在第一表面上呈多边形延伸，从而具有拐角区域以及非拐角区域；栅绝缘层，覆盖沟槽内壁；栅极，填充于沟槽；阱区，阱区位于沟槽延伸围合的区域内，并且阱区的周边与沟槽邻接；以及第一重掺杂区，第一重掺杂区位于阱区且与沟槽邻接，栅极具有预设电压能使第一重掺杂区与漂移层之间的阱区形成沟道，其中，沟道避位沟槽的拐角区域设置。根据本实用新型实施例的功率器件，保证原胞结构中剩余的与沟槽的非拐角区域邻接的各处沟道的开启一致，提高功率器件的可靠性。

基本信息

专利标题：

功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020283708.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-09

授权号：

CN211350657U

授权日：

2020-08-25

发明人：

李东升章剑锋

申请人：

瑞能半导体科技股份有限公司

申请人地址：

江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区汇仁大道266号2栋

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

娜拉

优先权：

CN202020283708.3

主分类号：

H01L29/10

IPC分类号：

H01L29/10 H01L29/423 H01L29/06 H01L29/739 H01L29/78 H01L21/331 H01L21/336 H01L21/28