功率器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种功率器件，功率器件包括：外延层，设置有依次分布的多个晶体管单元，每个晶体管单元内形成有相互间隔设置的多个发射极沟槽和一个栅极沟槽且一个栅极沟槽设置于相邻两个发射极沟槽之间，发射极沟槽的深度大于栅极沟槽的深度；栅极，设置于栅极沟槽并在栅极沟槽与外延层绝缘设置；冗余发射极，设置于发射极沟槽并在发射极沟槽与外延层绝缘设置。本实用新型实施例提供的功率器件，能够满足功率器件的功能需求，同时能够降低功率器件的饱和压降以及关断损耗，优化功率器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020283778.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-10
授权号 ：
CN211350661U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
李东升章剑锋朱林佩
申请人 ：
瑞能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区汇仁大道266号2栋
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
臧静
优先权 ：
CN202020283778.9
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/417 H01L29/423 H01L21/331 H01L27/082
相关图片
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211350661U.PDF
PDF下载
