功率器件IGBT

授权

摘要

本实用新型提供一种功率器件IGBT，包括：衬底；位于衬底的第一表面的有源区；位于衬底的第一表面和第二表面之间的漂移区；位于衬底的第二表面的集电区，其中，漂移区连接有源区和集电区；集电区包括交替划分的第一区域和第二区域，其中，第一区域的面积大于第二区域的面积，第一区域和第二区域的导电类型不同。本实用新型的功率器件IGBT，能够在器件正向导通时，提前产生0.7V的压降，提前促使P+N结的正向导通，使第一区域空穴注入漂移区，形成电导调制，降低器件的压降；在器件关断期间，通过第二区域通道可以提供大量电子进入漂移区，加大漂移区非平衡载流子的复合，减少IGBT器件关断拖尾电流，进而减小器件的关断损耗。

基本信息

专利标题：

功率器件IGBT

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021527269.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-28

授权号：

CN212783458U

授权日：

2021-03-23

发明人：

屈志军张景超赵善麒戚丽娜林茂井亚会

申请人：

江苏宏微科技股份有限公司

申请人地址：

江苏省常州市新北区华山中路18号

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

常莹莹

优先权：

CN202021527269.2

主分类号：

H01L29/08

IPC分类号：

H01L29/08 H01L29/739