双向功率器件
授权
摘要
公开了一种双向功率器件，双向功率器件包括：半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于沟槽侧壁上的栅介质层；位于沟槽内的控制栅，控制栅从半导体层的第一表面延伸至沟槽下部；其中，控制栅与半导体层之间由栅介质层隔开。本申请中沟槽内的控制栅从半导体层的第一表面延伸至沟槽下部，源区和漏区从半导体层的第一表面延伸至于沟槽下部的控制栅交叠。源区和漏区延伸的长度较长，使得源区和漏区在双向功率器件截止时可以承担纵向方向上源区和漏区上施加的高压，提高双向功率器件的耐压特性。
基本信息
专利标题 ：
双向功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920447431.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-03
授权号 ：
CN210224040U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
张邵华
申请人 ：
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN201920447431.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/423 H01L29/78
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法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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