双向功率器件
授权
摘要
本申请公开了一种双向功率器件，包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、屏蔽介质层、屏蔽栅；覆盖介质层，位于半导体层表面；以及穿过覆盖介质层的衬底电极、第一接触电极、第二接触电极、第一栅电极以及第二栅电极，其中，第一接触电极、第二接触电极、第一栅电极、第二栅电极以及衬底电极的表面与覆盖介质层平齐。该器件的电极和覆盖介质层齐平，利于后续平坦化工艺需求，同时，由于电极做到半导体结构中的面积较大，使得电极和导电区的接触面积增大，可以进一步增加导电能力，减小接触孔的尺寸。
基本信息
专利标题 ：
双向功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022419892.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN214123884U
授权日 ：
2021-09-03
发明人 ：
杨彦涛张邵华
申请人 ：
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202022419892.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/02 H01L21/8232
法律状态
2021-09-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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