双向功率器件
授权
摘要
公开了一种双向功率器件,双向功率器件包括半导体层;位于半导体层中的沟槽;位于所述沟槽侧壁上的栅介质层;位于所述沟槽下部的控制栅;位于所述沟槽上部的分压介质层;其中,所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请通过在控制栅上方形成分压介质层,从而使控制栅远离源区和漏区,在双向功率器件截止时,该分压介质层承担了纵向方向上源区和漏区施加的高压,提高双向功率器件的耐压特性。
基本信息
专利标题 :
双向功率器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921153394.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-22
授权号 :
CN210723035U
授权日 :
2020-06-09
发明人 :
张邵华
申请人 :
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 :
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 :
蔡纯
优先权 :
CN201921153394.9
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/423 H01L29/78
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法律状态
2020-06-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN210723035U.PDF
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