双向功率器件

授权

摘要

公开了一种双向功率器件，双向功率器件包括：半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的控制栅；位于所述沟槽上部的屏蔽栅；以及位于所述控制栅和所述屏蔽栅之间的隔离层，其中，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请中屏蔽栅位于彼此隔离的控制栅上方，且通过屏蔽介质层与源区和漏区隔离，双向功率器件截止时屏蔽栅通过屏蔽介质层耗尽源区和漏区的电荷，提高耐压特性；双向功率器件导通时，源区和/或漏区与半导体层提供低阻抗的导通路径。

基本信息

专利标题：

双向功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920447432.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-03

授权号：

CN209896064U

授权日：

2020-01-03

发明人：

张邵华

申请人：

杭州士兰微电子股份有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市黄姑山路4号

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司

代理人：

蔡纯

优先权：

CN201920447432.5

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/10 H01L29/423 H01L29/78