功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率器件，功率器件包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，外延层包括漂移层，漂移层配置为第一导电类型；导柱，配置为第二导电类型，导柱位于外延层内；体区，配置为第二导电类型，体区位于外延层的背离衬底侧的表面，以及隔离层，配置为第一导电类型，隔离层位于体区与导柱之间，隔离层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度。根据本实用新型实施例的功率器件，隔离层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度，能够降低集电极与发射极之间的饱和电压，提高关断速度。
基本信息
专利标题 ：
功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020281715.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-09
授权号 ：
CN211789024U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
李东升章剑锋朱林佩
申请人 ：
瑞能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区汇仁大道266号2栋
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
娜拉
优先权 ：
CN202020281715.X
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/78 H01L29/06 H01L29/36 H01L29/417 H01L21/336 H01L21/331
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法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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