功率MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开一种功率MOSFET器件，其重掺杂N型漏极区和中掺杂P型基极区之间具有一轻掺杂N型漂移区，一位于中掺杂P型基极区中沟槽延伸至轻掺杂N型漂移区下部，所述中掺杂P型基极区上部内且位于沟槽的周边具有第一重掺杂N型源极区；所述沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部，所述栅极部与沟槽之间的第一氧化硅层的宽度从上往下逐渐变宽，相应地栅极部的宽度从上往下逐渐变窄。本发明功率MOSFET器件可提高轻掺杂N型漂移区的掺杂浓度，增加耐压的情况下，将关断时将导通电阻降低，且改善了MOSFET器件开关速度。
基本信息
专利标题 ：
功率MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020573474.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-17
授权号 ：
CN212161822U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202020573474.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/06
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法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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