双向功率器件

授权

摘要

本申请公开了一种双向功率器件，包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；栅介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁；控制栅，位于第一沟槽区的多个沟槽的下部并与栅介质层接触；屏蔽介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁并位于控制栅的表面；以及第一屏蔽栅，位于第一沟槽区的多个沟槽中并与屏蔽介质层接触，其中，屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第一沟槽区的沟槽的上部侧壁的屏蔽介质层的厚度不一致，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。

基本信息

专利标题：

双向功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022419877.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-27

授权号：

CN214123883U

授权日：

2021-09-03

发明人：

杨彦涛张邵华

申请人：

杭州士兰微电子股份有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市黄姑山路4号

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司

代理人：

蔡纯

优先权：

CN202022419877.8

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L27/02 H01L21/8232