双向功率器件

授权

摘要

本申请公开了一种双向功率器件，包括：衬底；外延层，位于衬底上；第一掺杂区，位于外延层中；导电通道，自外延层表面向衬底延伸，并与衬底接触；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；栅介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁；屏蔽介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁；以及栅极导体，位于第一沟槽区的多个沟槽中，并分别与栅介质层和屏蔽介质层接触，其中，栅极导体包括相连的控制栅与屏蔽栅，控制栅与栅介质层接触，屏蔽栅与屏蔽介质层接触。该双向功率器件通过与衬底连接的导电通道降低了器件的体电阻，提升了双向功率器件的性能。

基本信息

专利标题：

双向功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022417356.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-27

授权号：

CN213660409U

授权日：

2021-07-09

发明人：

杨彦涛张邵华

申请人：

杭州士兰微电子股份有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市黄姑山路4号

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司

代理人：

蔡纯

优先权：

CN202022417356.9

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L27/02