功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率器件，该功率器件包括：衬底，该衬底包括漂移层并且具有第一区域和第二区域，该漂移层具有第一类型的杂质；开关，该开关在第一区域中形成；二极管，该二极管在第二区域中形成；金属结构，该金属结构在衬底的表面上方形成，该金属结构在衬底的第一区域上方具有第一厚度并且在衬底的第二区域上方具有第二厚度，第一厚度和第二厚度具有至少3μm的厚度差；以及区，该区设置在衬底的第二区域中的漂移层中，区具有不同于第一类型的第二类型的杂质。
基本信息
专利标题 ：
功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021652681.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-11
授权号 ：
CN213340375U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
细谷拓己稻永浩道三好诚二
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王琳
优先权 ：
CN202021652681.7
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L21/822
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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