IGBT功率器件

授权

摘要

本发明实施例提供的一种IGBT功率器件，包括位于两个p型体区和两个所述p型体区之间的n型漂移区之上的栅介质层，位于所述栅介质层之上的n型浮栅；位于所述栅介质层和所述n型浮栅之上的栅极，且在横向上所述栅极覆盖所述n型浮栅的两侧侧壁；介于所述栅极与所述n型浮栅之间的绝缘介质层；位于所述栅介质层中的第一开口，所述n型浮栅通过所述第一开口与其中一个所述p型体区接触形成p‑n结二极管；位于所述栅介质层中的第二开口，所述n型浮栅通过所述第二开口与另一个所述p型体区接触形成p‑n结二极管。本发明能够提高IGBT功率器件的反向恢复速度。

基本信息

专利标题：

IGBT功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112864234A

申请号：

CN201911183421.1

公开（公告）日：

2021-05-28

申请日：

2019-11-27

授权号：

CN112864234B

授权日：

2022-04-15

发明人：

龚轶刘磊刘伟袁愿林王鑫

申请人：

苏州东微半导体股份有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406

代理机构：

北京品源专利代理有限公司

代理人：

孟金喆

优先权：

CN201911183421.1

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/417 H01L29/739 H01L27/06