功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率器件，功率器件包括：外延层，外延层包括位于第二表面至第一表面之间预定厚度的漂移区，漂移区被配置为第一导电类型，外延层与厚度方向相垂直的横向上具有多个原胞结构；各原胞结构包括：冗余发射极沟槽，两个冗余发射极沟槽相互间隔设置，冗余发射极沟槽由第一表面延伸至漂移区，冗余发射极设置于冗余发射极沟槽；栅极沟槽，设置于两个冗余发射极沟槽之间，栅极沟槽由第一表面延伸至漂移区，栅极设置于栅极沟槽；体区，位于两个冗余发射极沟槽之间，体区被配置为第二导电类型；浮空区，位于各冗余发射极沟槽背向栅极沟槽一侧，浮空区被配置为第二导电类型，浮空区的深度大于冗余发射极沟槽的深度。
基本信息
专利标题 ：
功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020284192.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-10
授权号 ：
CN211350662U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
李东升章剑锋
申请人 ：
瑞能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区汇仁大道266号2栋
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
娜拉
优先权 ：
CN202020284192.4
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/78 H01L29/06 H01L29/417 H01L21/331 H01L21/336
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法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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