硅8英寸大功率元器件制备用外延炉
授权
摘要
本实用新型公开了硅8英寸大功率元器件制备用外延炉，包括配套的炉体和炉盖，所述炉体内设置有石墨基座，所述炉体的底部设置有加热结构，所述石墨基座设置在加热结构上方，还包括进气管，所述进气管一端伸入炉体内，所述进气管在炉体内的端部设置有缓冲室，所述缓冲室的上端与进气管连通，下端与向内收缩形成封闭凸起，所述封闭凸起通过连通管与气源注入器连通，所述气源注入器设置在石墨基座上方，所述缓冲室采用导热材料制成。采用该外延炉进行外延生长能够提高衬底晶片受热温度的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
硅8英寸大功率元器件制备用外延炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020747761.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-08
授权号 ：
CN212077201U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
王作义康宏卞小玉韩立琼
申请人 ：
四川广瑞半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号
代理机构 ：
成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐邦英
优先权 ：
CN202020747761.4
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B25/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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