快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法，属于半导体材料制备技术领域，方法包括硅衬底片的预处理：外延前对选用的硅衬底片进行清洗、抛光，并在抛光时，外延腔室内温度升温至1030～1060℃；外延生长：在外延腔室内通入三氯氢硅作为硅源，外延腔室内温度保持1030～1060℃；在硅衬底片上低速生长本征外延层；在外延腔室内通入H2变流量吹扫1‑3分钟清理杂质；在本征外延层上变高速生长掺杂磷烷的第一层外延层；再次通入H2变流量吹扫1‑3分钟清理杂质；改变掺杂流量，在第一层外延层上高速生长掺杂磷烷的第二层外延层。本发明能够生长出理想的平坦外延层，提高硅外延片均匀性和二极管的电学性能。
基本信息
专利标题 ：
快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628243A
申请号 ：
CN202210240112.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周晓龙陈秉克薛宏伟袁肇耿
申请人 ：
河北普兴电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
柳萌
优先权 ：
CN202210240112.9
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C30B25/16 C30B25/18 C30B25/20 C30B29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
