一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管，所述外延片包括衬底、还包括依次层叠于所述衬底上的多量子阱层、复合过渡层以及AlGaN电子阻挡层；其中，所述复合过渡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的N型掺杂AlGaN子层、无掺杂AlGaN子层以及P型掺杂AlGaN子层，所述N型掺杂AlGaN子层的掺杂剂为Si，且Si掺杂浓度为1*1017/cm3~1*1018/cm3，所述N型掺杂AlGaN子层的Si掺杂浓度由靠近所述多量子阱层一端向另一端逐渐降低。本发明解决了现有技术中的外延片发光效率低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497305A
申请号 ：
CN202210392691.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘春杨胡加辉吕蒙普金从龙
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210392691.9
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/02 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20220415
申请日 : 20220415
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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