一种MOS器件结构用双层外延的制备方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明涉及一种MOS器件结构用双层外延的制备方法，向硅外延炉反应腔体内通入氯化氢气体；将主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体；向反应腔体内基座上装入硅衬底片；通入主工艺氢气对反应腔体进行吹扫；主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入反应腔体；稀释氢气携带磷烷气体组成混合气；进行第一层硅外延层的生长；通入主工艺氢气对硅外延炉反应腔体进行吹扫；进行第二层硅外延层的生长；第二层硅外延层生长完成，降温后从基座上取出；所制硅外延层的总厚度5点均值为20.5~21.5µm，第二层硅外延层的电阻率5点均值为27~29Ω·cm。本发明实现了对双层外延的总体厚度和电阻率均匀性的控制。
基本信息
专利标题 ：
一种MOS器件结构用双层外延的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111463116A
申请号 ：
CN202010341315.8
公开（公告）日 ：
2020-07-28
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN111463116B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
唐发俊李明达王楠赵扬
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请人地址 ：
天津市河西区洞庭路26号
代理机构 ：
天津中环专利商标代理有限公司
代理人 ：
李美英
优先权 ：
CN202010341315.8
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-05-10 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/205
登记生效日 : 20220426
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国电子科技集团公司第四十六研究所
变更后权利人 : 中国电子科技集团公司第四十六研究所
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300220 天津市河西区洞庭路26号
变更后权利人 : 300220 天津市河西区洞庭路26号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中电晶华（天津）半导体材料有限公司
登记生效日 : 20220426
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国电子科技集团公司第四十六研究所
变更后权利人 : 中国电子科技集团公司第四十六研究所
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300220 天津市河西区洞庭路26号
变更后权利人 : 300220 天津市河西区洞庭路26号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中电晶华（天津）半导体材料有限公司
2022-04-12 ：
授权
2020-08-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20200427
申请日 : 20200427
2020-07-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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