LED外延片、制备方法及半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种LED外延片的制备方法，包括：S1、提供一衬底；S2、在衬底上生长氮化物缓冲层；S3、在氮化物缓冲层上生长非掺杂氮化物层；S4、在非掺杂氮化物成上生长n型氮化物层；S5、在n型氮化物层上生长插入层单元，插入层单元包括依次生长的前置氮化物插入层、氧化物插入层和后置氮化物插入层；S6、在插入层单元上生长量子阱发光层；S7、在量子阱发光层上生长p型层。本发明的LED外延片的制备方法通过氧化物插入层的高势垒对电子减速，缓冲电子对发光层的注入，降低电子越过发光层对p型层空穴的复合，改善大电流下droop效应，同时经过氧化物插入层电子扩散更加均匀，改善发光层电子分布均匀性，提高发光效率，改善外延光电均匀一致性。
基本信息
专利标题 ：
LED外延片、制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520279A
申请号 ：
CN202210102726.0
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫其昂王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城23幢205室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王广浩
优先权 ：
CN202210102726.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/14 H01L33/06 H01L33/12
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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