外延片及半导体发光器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种外延片及半导体发光器件。所述外延片包括依次形成的缓冲层、插入层、第一半导体层、有源区和第二半导体层；所述插入层包括：形成在所述缓冲层上的第一AlInN层，形成在所述第一AlInN层上的第二AlInN层；所述第一AlInN层和所述第二AlInN层的层数至少为一层，所述第二AlInN层的生长温度高于第一AlInN层的生长温度，所述第二AlInN层中In含量低于第一AlInN层的In含量，且所述第二AlInN层与第一半导体层晶格匹配；其中，所述第一半导体层和第二半导体层的导电类型不同。本实用新型实施例提供的一种外延片，在缓冲层和第一半导体层之间生长AlInN插入层取代传统高温非故意掺杂氮化物层，在提升外延片生长质量的同时，还减小了外延片的翘曲，提高了外延片的良率。
基本信息
专利标题 ：
外延片及半导体发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123227131.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216450669U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
闫其昂王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵世发
优先权 ：
CN202123227131.8
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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