外延片及半导体发光器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种外延片及半导体发光器件。所述外延片包括依次形成的缓冲层、插入层、第一半导体层、有源区和第二半导体层;所述插入层包括:形成在所述缓冲层上的第一AlInN层,形成在所述第一AlInN层上的第二AlInN层;所述第一AlInN层和所述第二AlInN层的层数至少为一层,所述第二AlInN层的生长温度高于第一AlInN层的生长温度,所述第二AlInN层中In含量低于第一AlInN层的In含量,且所述第二AlInN层与第一半导体层晶格匹配;其中,所述第一半导体层和第二半导体层的导电类型不同。本实用新型实施例提供的一种外延片,在缓冲层和第一半导体层之间生长AlInN插入层取代传统高温非故意掺杂氮化物层,在提升外延片生长质量的同时,还减小了外延片的翘曲,提高了外延片的良率。
基本信息
专利标题 :
外延片及半导体发光器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123227131.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-21
授权号 :
CN216450669U
授权日 :
2022-05-06
发明人 :
闫其昂王国斌
申请人 :
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 :
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
赵世发
优先权 :
CN202123227131.8
主分类号 :
H01L33/12
IPC分类号 :
H01L33/12 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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