半导体发光器件
专利权的终止
摘要
本发明之目的在于提供具备耐湿性好、输出光强的半导体发光器件。所述半导体发光器件由在出光面一侧设有含Ａｌ的结晶层１５作为该半导体发光器件发光层的InGaAlP系混晶层12、13、14、15以及在结晶层１５上淀积的含Ａｌ的克分子比不足５０％或不含Ａｌ的－Ⅲ－Ⅴ族结晶层１６所构成。该含Ａl的克分子比不足５０％或不含Ａｌ的Ⅲ－Ⅴ族结晶层１６是用有机金属气相淀积法，同其它各层连续形成的。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1099190A
申请号 ：
CN94102336.2
公开（公告）日 ：
1995-02-22
申请日 ：
1994-03-15
授权号 ：
CN1042579C
授权日 ：
1999-03-17
发明人 ：
野崎秀树海野和美
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN94102336.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
相关图片
法律状态
2014-04-16 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101581485167
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL941023362
申请日 : 19940315
授权公告日 : 19990317
期满终止日期 : 20140315
号牌文件序号 : 101581485167
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL941023362
申请日 : 19940315
授权公告日 : 19990317
期满终止日期 : 20140315
1999-03-17 ：
授权
1995-02-22 ：
公开
1995-02-08 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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