半导体发光器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体发光器件，包括基板、设置在所述基板上的半导体发光芯片组件、设置在所述基板上并包裹在所述半导体发光芯片组件侧面的第一围坝、覆盖在所述半导体发光芯片组件的出光面上的透光层、以及设置在所述透光层和/或第一围坝上的第二围坝；所述半导体发光芯片组件包括至少一个半导体发光芯片；所述半导体发光芯片设有第一焊盘和第二焊盘，所述基板上设有第一焊垫和第二焊垫；所述第一焊盘通过金属导线与所述第一焊垫导电连接，所述第二焊盘与所述第二焊垫导电连接；所述第二围坝远离所述基板的顶部高于所述金属导线。本实用新型的半导体发光器件，可实现小型化、高光效及高可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921260770.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-01
授权号 ：
CN210443581U
授权日 ：
2020-05-01
发明人 ：
李刚
申请人 ：
深圳大道半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽街道平山民企工业园4栋3层302
代理机构 ：
深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
林俭良
优先权 ：
CN201921260770.4
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48
法律状态
2020-05-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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