半导体发光器件
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摘要

提供一种半导体发光器件,其包括:发光结构,在发光结构中,堆叠导电衬底、第二导电型半导体层、活性层和第一导电型半导体层;扩散金属层和绝缘层,形成在导电衬底与第二导电型半导体层之间;反射电极层,形成在第二导电型半导体层下方,其中,反射电极层的面向第二导电型半导体层的顶表面具有比第二导电型半导体层的底表面小的面积,扩散金属层形成通过绝缘层、第二导电型半导体层和活性层延伸至第一导电型半导体层内部的多个通孔,并且通过通孔将扩散金属层电耦联至第一导电型半导体层,以及任一通孔与邻近于通孔的另一个通孔之间的最短距离D2比最靠近第一导电型半导体层的外部的通孔与第二导电型半导体层的外部之间的最短距离D3大。

基本信息
专利标题 :
半导体发光器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108807632A
申请号 :
CN201810927330.3
公开(公告)日 :
2018-11-13
申请日 :
2015-12-17
授权号 :
CN108807632B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
李美姬李俊熙李所螺张美萝
申请人 :
首尔伟傲世有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道安山市
代理机构 :
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 :
程月
优先权 :
CN201810927330.3
主分类号 :
H01L33/38
IPC分类号 :
H01L33/38  H01L33/22  H01L33/20  H01L33/00  
法律状态
2022-04-01 :
授权
2018-12-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20151217
2018-11-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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