半导体发光元件和发光器件
授权
摘要
一种半导体发光元件，其包括半导体发光堆叠层和绝缘保护层；绝缘保护层覆盖在半导体发光堆叠层的周围；所述绝缘保护层包括绝缘反射层和绝缘包覆层，所述绝缘反射层具有内表面、外表面和侧壁，其中所述绝缘反射层的内表面相较于外表面更临近半导体发光堆叠层表面和侧壁周围，所述绝缘包覆层包覆所述绝缘反射层的外表面和侧壁。通过增加绝缘包覆层同时包覆所述绝缘反射层的外表面和侧壁，可有效阻挡锡膏中的迁移金属如银进入绝缘反射层，提升可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件和发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021214182.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN212648266U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
王锋何敏游詹宇夏章艮何安和曾合加洪灵愿彭康伟林素慧
申请人 ：
厦门三安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021214182.X
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/46 H01L33/62
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
