半导体发光元件
发明专利申请公布后的驳回
摘要
在把含高浓度p型掺杂物的接触层作为最上层的半导体发光元件中，获得除了有效抑制来自上述接触层的掺杂物扩散、且是高亮度而且低驱动电压之外，在驱动半导体发光元件方面，还能预防出现时效性的发光输出降低以及驱动电压上升的结构。提供一种半导体发光元件，它在半导体基板(1)上结晶生长至少n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)，进而在这些层的最上层上层叠添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂物的As系接触层(7)，进而在其上形成由ITO膜(8)组成的电流分散层；在所述接触层(7)和p型包层(5)之间，设置由作为V族元素包含磷、而且对于所述半导体基板(1)结晶的晶格不匹配率在±0.3％以内的III－V族半导体构成的缓冲层6。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835252A
申请号 ：
CN200510108290.2
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2005-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
新井优洋今野泰一郎饭和幸
申请人 ：
日立电线株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
郝庆芬
优先权 ：
CN200510108290.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2012-03-21 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101303549399
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2005101082902
公开日 : 20060920
号牌文件序号 : 101303549399
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2005101082902
公开日 : 20060920
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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