半导体发光元件
授权
摘要
本发明的课题是通过减少越过有源层内封闭电子用的电子势垒而溢出的电子来提供具备阈值电流小、微分效率高的良好的特性的半导体发光元件。使作为构成有源层20的阻挡层中最接近于p侧的阻挡层的最终阻挡层1的能带间隙比阻挡层2的能带间隙小。与使用与阻挡层2相同的能带间隙的材料作为最终阻挡层1的情况相比，可增大与电子势垒层3的能带不连续量(电子势垒)。其结果，可减少越过电子势垒而溢出的电子。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773792A
申请号 ：
CN200510119489.5
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藏本恭介
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200510119489.5
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343 H01S5/323 H01L33/00
法律状态
2010-02-24 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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