半导体发光元件
专利权的终止
摘要
本发明提供可防止相对输出随时间降低以及反向电压(Vr)随时间降低、高辉度并且高可靠性的半导体发光元件。该半导体发光元件，其在第1导电型半导体衬底1上形成有第1导电型包覆层4、非掺杂活性层5、第2导电型包覆层6、第2导电型中间层7及第2导电型电流分散层8，其特征在于，在作为第2导电型包覆层6一部分的不接触活性层5和中间层7的部分具有掺杂剂抑制层6a。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1909257A
申请号 ：
CN200610057016.1
公开（公告）日 ：
2007-02-07
申请日 ：
2006-03-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
今野泰一郎饭塚和幸新井优洋古屋贵士
申请人 ：
日立电线株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN200610057016.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
相关图片
法律状态
2013-05-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101451118198
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100570161
申请日 : 20060313
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20120313
号牌文件序号 : 101451118198
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100570161
申请日 : 20060313
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20120313
2008-12-31 ：
授权
2007-04-04 ：
实质审查的生效
2007-02-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
CN100448041C.PDF
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