半导体发光元件
授权
摘要
公开了一种半导体发光元件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层；透明导电层，形成在第二导电型半导体层之上；形成于发光结构上的第一电极垫和第二电极垫，分别连接到第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；第一电极延伸部和第二电极延伸部，分别从第一电极垫和第二电极垫延伸。第一电极延伸部包括：纵向延伸部，从第一电极垫沿发光结构的边缘沿纵向延伸；横向延伸部，从纵向延伸部的末端沿发光结构的边缘沿横向延伸。横向延伸部包括多个延伸部‑接触部分，使得横向延伸部与所述第一导电型半导体层接触。第二电极延伸部包括第一延伸部和第二延伸部。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110047983A
申请号 ：
CN201811533059.1
公开（公告）日 ：
2019-07-23
申请日 ：
2015-07-01
授权号 ：
CN110047983B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
徐德壹金艺瑟金京完禹尙沅金智惠
申请人 ：
首尔伟傲世有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道安山市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜长星
优先权 ：
CN201811533059.1
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/14 H01L33/42
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2019-08-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20150701
申请日 : 20150701
2019-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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