本发明涉及半导体发光元件，其包括，多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，且包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极、电连接器及上部电极。