半导体发光元件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提高半导体发光元件的光取出效率。半导体发光元件(10)在蓝宝石衬底(12)上层叠有缓冲层(14)、n型GaN层(16)、InGaN发光层(18)、p型GaN层(32)。在p型GaN层(32)上，设置作为透明电极发挥作用的ZnO层24，在ZnO层(24)的表面，以二维的周期性间隔形成凹部。在将来自InGaN发光层(18)的光在空气中的波长记为λ，将该波长λ时的ZnO层的折射率记为nzλ，将ZnO层和与其相接的介质的界面的全反射角记为θz时，进行设定使得相邻的凹部的周期间隔Lz在λ/nzλ≤Lz≤λ/(nzλ×(1－sinθz))范围内。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101180745A
申请号 ：
CN200680018108.7
公开（公告）日 ：
2008-05-14
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中原健
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200680018108.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
相关图片
法律状态
2009-11-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-07-02 ：
实质审查的生效
2008-05-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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