半导体发光元件
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体发光元件。包括：发光结构，其包括从下方起依次层叠的第一型半导体层、活性层、第二型半导体层，具有贯通所述活性层和所述第二型半导体层而露出所述第一型半导体层的电极孔；第二型电极，其与所述第二型半导体层电气连接；第一型电极，其通过所述电极孔而与所述第一型半导体层电气连接；第一型及第二型电极为指型电极，为了切断电流从第一型电极和第二型电极流入活性层而在其下方配置有第一绝缘膜和第二绝缘膜。本实用新型半导体发光元件结构，能够扩大半导体发光元件的发光区域。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920594298.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-28
授权号 ：
CN209658224U
授权日 ：
2019-11-19
发明人 ：
吴永胜李培双刘德意
申请人 ：
福建兆元光电有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县南屿镇福州市生物医药和机电产业园区
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
蔡学俊
优先权 ：
CN201920594298.1
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38
法律状态
2019-11-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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