半导体发光元件
授权
摘要
在设有包含分别具有5nm膜厚的两个InGaN阱层的2重量子阱结构的活性层的半导体激光器中，光封闭系数Γ在3.0％以下区域中阈值电流的劣化较小，具有微分效率显著改善的特性。另一方面，光封闭系数Γ小于1.5％时，阈值电流显著增大，且微分效率的改善量也小。因而，其光封闭系数Γ的下限最好为1.5％左右，若光封闭系数Γ在3.0％以下，则得到的微分效率为1.6W/A以上，且通过设光封闭系数Γ为2.6％以下，得到1.7W/A以上的微分效率。从而得到具有高微分效率的使用氮化物类III－V族化合物的半导体发光元件。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825723A
申请号 ：
CN200610008808.X
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藏本恭介
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨凯
优先权 ：
CN200610008808.X
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343 H01S5/00 H01L33/00
法律状态
2009-09-09 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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